해당 수상자는 박선의·조윤서·방주은 박사과정 학생으로, 6G 통신 방해 잡음을 획기적으로 낮추는 초 저잡음 신호를 생성할 수 있는 CMOS(상보형금속산화반도체) 공정 기반의 칩을 개발했다.

6G 통신은 최대 20기가bps의 전송 속도를 갖는 5G 통신 대비 최대 50배 빠른 1테라bps를 목표로 연구가 진행되고 있다. 일반적으로 통신 주파수 대역이 올라갈수록 넓은 통신 대역폭을 사용할 수 있어 데이터 전송 속도를 높일 수 있기 때문에 6G 통신에서 요구하는 높은 데이터 전송 속도를 위해서는 100 기가헤르츠(GHz) 이상 주파수 대역의 사용이 필수적이다.

하지만 높은 주파수 대역에서 반송파로 사용될 수 있는 정확한 기준 신호를 CMOS 공정을 이용해 만드는 것은 큰 난제였다. CMOS 공정은 100 기가헤르츠(GHz) 이상의 주파수 대역에서 초 저잡음 성능을 달성하기 어려웠기 때문이다.

최 교수팀 학생들이 개발한 칩은 CMOS 공정을 사용해 처음으로 100GHz 이상 대역에서 고차 변·복조 기술을 지원할 수 있는 초 저잡음 신호를 생성한다.

CMOS 공정 기반으로도 6G 통신에서 요구하는 초 저잡음 성능을 달성할 수 있다는 것을 증명해 장차 상용화될 6G 통신 칩의 가격 경쟁력과 집적도를 높이는 데 기여할 것으로 기대된다.